特許
J-GLOBAL ID：200903087597968616
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-248511
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】本発明は、超高速動作を実現する上で必要な発熱の問題がない光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】InP基板11に形成され、InGaAlAsバッファ層12、AlAs障壁層13、InAs井戸層14、InGaAs井戸層15からなる量子井戸構造と、この量子井戸構造にパルス面積が2πn(nは自然数)のパルス光を入射するパルス光入射手段とを備え、量子井戸構造が、パルス光を入射する前に、伝導帯に電子が存在する第1のサブバンドSB1と、この第1のサブバンドSB1よりエネルギー準位が高く、第1のサブバンドSB1の電子がサブバンド間遷移可能な状態の第2のサブバンドSB2とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された量子構造と、この量子構造にパルス面積が2πn(nは自然数)のパルス光を入射するパルス光入射手段とを具備してなり、前記量子構造は、前記パルス光を入射する前に、伝導帯または価電子帯に電子または正孔が存在する第1のサブバンドと、この第1のサブバンドよりエネルギー準位が高く、前記第1のサブバンドの電子または正孔がサブバンド間遷移可能な状態の第2のサブバンドとを有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (5件)：
G02F 1/35
, H01L 27/15
, H01L 29/06
, H01L 29/68
, H01L 31/14
