特許

J-GLOBAL ID：200903087615709798

素子分離方法

発明者： 飯島 晋平 ,  峰 利之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097274
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】幅の狭い溝に充填した絶縁物にえぐれを生じることなく幅の広い溝も信頼性良く絶縁物で充填する。【構成】Si基板に素子分離領域となる溝を形成した後、幅の狭い溝は流動性ガラスで充填するようにした。流動性ガラスにはGe,B,Pなどを含有するCVD・SiO2 か、もしくはSi,N,Cを少なくとも含有する低応力SOGを用いた。【効果】従来の選択酸化法で問題となっていた寸法シフトの発生や所望の膜厚が得られないといった問題を回避でき素子分離特性を向上させうるとともにLSIの集積度向上がはかれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板、もしくは半導体薄膜表面の所定の領域に溝を形成して、溝以外の領域に、能動素子領域となる島を形成した後、該溝を絶縁物で充填し、複数の島を絶縁分離する素子分離方法において、溝を形成した後、第一の流動性ガラス膜を堆積し熱処理を施して流動させた後、能動素子が形成される島の上の第一の流動性ガラス膜を、幅の広い溝部で凹部を形成している第一の流動性ガラス膜の表面の高さと同じになるようにエッチング除去し、さらに第二の流動性ガラス膜を堆積し熱処理を施して流動させ表面を平坦化した後、能動素子が形成される島の表面が露出するまで第一および第二の流動性ガラス膜を順次エッチングして溝内にのみ流動性ガラス膜からなる絶縁物を充填することを特徴とする素子分離方法。