結晶方位測定方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111186
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296258
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位を検知し、誤った結晶方位を修正できる結晶方位測定方法を提供する。【解決手段】測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位は、誤った結晶方位のステレオ投影図平面での(100),(010),(001)の各極を結ぶ一定の曲線上またはその近傍に分布することにより検知し、さらにその分布を利用して誤った結晶方位を修正することを特徴とする。また、上記結晶方位測定方法は、誤った結晶方位を与えるオイラー角が、オイラー角度空間の部分空間領域内に集中して存在することにより検知し、その誤ったオイラー角を利用して修正する。

請求項（抜粋）：

電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて試料表面の結晶粒の結晶方位を測定し、前記結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法であって、前記結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位は、誤った結晶方位のステレオ投影図平面での(100),(010),(001)の各極を結ぶ一定の曲線上または前記近傍に分布することにより検知し、前記分布を利用して前記誤った結晶方位を修正することを特徴とする結晶方位測定方法。

Fターム (10件)：

2G001AA03 , 2G001BA15 , 2G001CA03 , 2G001GA01 , 2G001GA13 , 2G001HA01 , 2G001JA11 , 2G001KA08 , 2G001LA02 , 2G001MA05

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