特許
J-GLOBAL ID：200903087619402352
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-362171
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204345
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 特に中間導電層のコンタクト抵抗の低減を図り、所定の導電層に対して確実にコンタクトを図り、しかも高集積化が可能な多層配線構造の半導体装置を提供すること。【構成】 複数の導電層22,26,38が層間絶縁層24,31を介して積層してある多層配線構造の半導体装置において、中間に位置する中間導電層26が、コンタクトホール36a,36bを形成すべきパターンに対応して、他の部分に比較して厚く形成された厚膜部分26aを有する。この厚肉部分の略中央部には、薄膜部分が形成されている。厚膜部分の略中央部に形成してある薄膜部分の領域幅が、コンタクトホールの領域幅よりも小さい。
請求項（抜粋）：
複数の導電層が層間絶縁層を介して積層してある多層配線構造の半導体装置において、中間に位置する中間導電層が、コンタクトホールを形成すべきパターンに対応して、他の部分に比較して厚く形成された厚膜部分を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
