特許

J-GLOBAL ID：200903087624699487

分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 井上 武史 ,  中島 眞一
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326812
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】選択成長を利用し、活性層が平坦で屈折率差を小さく制御することが可能で、しかも自己整合可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【構成】基板上に、少なくとも分布帰還を得るための回折格子と、横方向に平坦な活性層と、この活性層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けた光閉じ込め層と、この光閉じ込め層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けられ横モード閉じ込めのためにストライプ状に形成されたリブ層と、上下方向に光を閉じ込める低屈折率のクラッド層と、このクラッド層と同じ屈折率を有し前記リブ層の側面に形成され側面が (111)である電流狭窄層を有し、前記リブ層の屈折率は前記クラッド層に比べて高く設定されると共に、前記リブ層のエッチング深さはリブ層の横幅より浅くなるように形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも分布帰還を得るための回折格子と、横方向に平坦な活性層と、この活性層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けた光閉じ込め層と、この光閉じ込め層上に接してあるいは他の半導体層を挟んで設けられ横モード閉じ込めのためにストライプ状に形成されたリブ層と、上下方向に光を閉じ込める低屈折率のクラッド層と、このクラッド層と同じ屈折率を有し前記リブ層の側面に形成され側面が (111)面である電流狭窄層を有し、前記リブ層の屈折率は前記クラッド層に比べて高く設定されると共に、前記リブ層のエッチング深さはリブ層の横幅より浅くなるように形成されてなることを特徴とする分布帰還形半導体レーザ。