特許
J-GLOBAL ID：200903087627758921
電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064964
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102555
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン領域とフローティングゲート電極との間のトンネル絶縁膜を介したトンネル電流により情報を不揮発性に書き換える半導体不揮発性メモリを小型に高密度に安い価格にて製造する。【解決手段】 トンネル絶縁膜下のドレイン領域の不純物濃度分布を表面が濃度で深さ500Åより深い場所にピーク不純物濃度を形成した。さらに、ドレイン領域の中心部は低濃度で、周囲部をより高濃度に形成した。従って、トンネル絶縁膜下のドレイン領域が低濃度であるにもかかわらず、その周囲が高濃度で形成されているために効率的プログラム時の高電圧がトンネル絶縁膜に印加できる。また、トンネル絶縁膜の端部をフィールド絶縁膜と直接接して形成できるのでメモリセルを小型にできる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域の表面に互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の半導体領域の表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とから成る電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、前記ドレイン領域と前記フローティングゲート電極との間にトンネル絶縁膜が設けられているとともに、前記ドレイン領域の不純物濃度分布のピーク位置が前記トンネル絶縁膜から約500Å以上の前記半導体領域の深さに存在する電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
