特許
J-GLOBAL ID:200903087629118741
プロセスカートリッジ、画像形成装置及び帯電部材
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
山下 穣平
, 志村 博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-105459
公開番号(公開出願番号):特開2004-309911
出願日: 2003年04月09日
公開日(公表日): 2004年11月04日
要約:
【課題】優れた電子写真特性としての高感度を維持しつつ、スジ、ポチ、ゴースト等の画像欠陥のない良好な画像を長期にわたって得ることのできるプロセスカートリッジ、画像形成装置及び帯電部材を提供する。【解決手段】少なくとも、フタロシアニン化合物を含有する電荷発生層と、電荷発生層上に形成され膜厚が20μm以下である電荷輸送層とを有する感光体と、算術平均粗さRa(μm)、十点平均表面粗さRzjis(μm)、表面凹凸平均間隔RSm(μm)が0.3≦Ra≦5、2≦Rzjis≦50、20≦RSm≦200である帯電部材を用いてプロセスカートリッジを構成する。【選択図】図10
請求項(抜粋):
少なくとも、感光体と帯電部材とを有することを特徴とし、
前記感光体は、導電性支持体と、この導電性支持体上に形成されフタロシアニン化合物を含有する電荷発生層と、前記電荷発生層上に形成され膜厚が20μm以下である電荷輸送層とを有し、
前記帯電部材は、導電性基体と、この導電性基体上に形成され少なくとも導電性を有する被覆層とにより構成される帯電部材であり、この帯電部材の算術平均粗さをRa(μm)、十点平均表面粗さをRzjis(μm)、表面凹凸平均間隔をRSm(μm)とすると、
0.3≦Ra≦5
2≦Rzjis≦50
20≦RSm≦200
であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
IPC (2件):
FI (2件):
G03G15/02 101
, G03G5/06 371
Fターム (51件):
2H068AA19
, 2H068AA28
, 2H068AA34
, 2H068AA35
, 2H068BA39
, 2H200FA01
, 2H200FA08
, 2H200FA18
, 2H200FA19
, 2H200FA20
, 2H200GA14
, 2H200GA16
, 2H200GA23
, 2H200GA34
, 2H200GA44
, 2H200GB12
, 2H200GB50
, 2H200HA03
, 2H200HA28
, 2H200HB12
, 2H200HB13
, 2H200HB14
, 2H200HB22
, 2H200HB43
, 2H200HB45
, 2H200HB46
, 2H200HB47
, 2H200HB48
, 2H200JA02
, 2H200JA28
, 2H200LA19
, 2H200LA38
, 2H200LA40
, 2H200LC02
, 2H200LC04
, 2H200LC08
, 2H200MA03
, 2H200MA04
, 2H200MA08
, 2H200MA12
, 2H200MA14
, 2H200MA17
, 2H200MA20
, 2H200MB02
, 2H200MB04
, 2H200MC06
, 2H200MC15
, 2H200NA02
, 2H200PA05
, 2H200PA11
, 2H200PB14
引用特許:
前のページに戻る