特許

J-GLOBAL ID：200903087637765705

イメージセンサの製造方法

発明者： 浅井 市郎 ,  広田 匡紀
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 田中 隆秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196832
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041512
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトビアを所定のサイズに形成できるようにすること、およびソース/ドレイン部のコンタクト抵抗Rcの値の上昇を防止すること。【構成】 本発明のイメージセンサの製造方法は、センサ駆動回路用のpoly-SiTFTと、このpoly-SiTFT上に配置されるとともにコンタクトビアが形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配置された受光量検出用のセンサ部とが絶縁基板上に形成され、前記コンタクトビアが保護金属で被覆されたイメージセンサの製造方法において、前記コンタクトビアが形成された後に水素化処理が行われる。

請求項（抜粋）：

センサ駆動回路用のpoly-SiTFTと、このpoly-SiTFT上に配置されるとともにコンタクトビアが形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に配置された受光量検出用のセンサ部とが絶縁基板上に形成され、前記コンタクトビアが保護金属で被覆されたイメージセンサの製造方法において、前記コンタクトビアが形成された後に水素化処理が行われることを特徴とするメージセンサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C