特許
J-GLOBAL ID:200903087638263452

成膜装置、成膜方法および光学素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-296672
公開番号(公開出願番号):特開2004-131783
出願日: 2002年10月09日
公開日(公表日): 2004年04月30日
要約:
【課題】成膜材料の固化を抑制し、安定した成膜レートを有する成膜装置を実現する。【解決手段】真空容器1内に配置された坩堝2と、坩堝2の温度上昇を抑制するための冷却部3と、坩堝2に電子ビームを照射するための電子銃4とを備える。また、真空容器1内には被コーティング材料を保持するための治具機構5、6が配置され、被コーティング材料に対して所定の粒子を照射可能な位置にイオン供給源7およびニュートラライザ8が配置されている。また、治具機構5、6と坩堝2との間には開閉可能なシャッター9が備えられ、シャッター9の開閉を制御するシャッター開閉制御部10に接続されている。さらに、電子銃4は、蒸着レートを所定範囲に制御するための蒸着レート制御部11に接続されている。また、蒸着動作時において坩堝2に保持された蒸着材料に対して陽イオンを照射するイオン供給源12を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
真空雰囲気中で成膜対象の表面上に薄膜構造を成膜する成膜装置であって、 前記薄膜構造を形成する材料を保持する材料保持手段と、 前記材料に対して所定の運動エネルギーを有する第1の荷電粒子を衝突させ、該衝突により前記材料にエネルギーを与えて前記成膜対象の表面に到達させるエネルギー供給手段と、 前記第1の荷電粒子の衝突によって生じた前記材料の電気的極性を緩和もしくは解消する極性緩和手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件):
C23C14/22 ,  C23C14/30 ,  H01S5/028
FI (3件):
C23C14/22 A ,  C23C14/30 A ,  H01S5/028
Fターム (13件):
4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA09 ,  4K029DB21 ,  4K029EA02 ,  4K029EA09 ,  5F073AA83 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073EA29

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