特許
J-GLOBAL ID：200903087638485714
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112563
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325579
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 書き込みおよび消去ディスターブのない不揮発性の情報記憶素子を提供するものであり、特に小型情報処理機器のメモリーとして用いることのできるデバイス構造を提供する。【構成】 シリコン基板1上に浮遊ゲート7および制御ゲート6が形成された半導体メモリにおいて、機械式プローブ8を移動させて浮遊ゲート7の電荷注入・取り出しを行うとともに、制御ゲート6を用いて浮遊ゲートの電荷の有無を検出する。
請求項（抜粋）：
電気的に絶縁された浮遊ゲートに電荷の出し入れを行うことによって不揮発性の情報記憶を行う記憶装置において、静電気の力によって浮遊ゲートの上を移動する機械式プローブを用いて前記浮遊ゲート内部に電荷を注入あるいは電荷の消去を行うとともに、制御ゲートおよびソース・ドレイン電極によって前記浮遊ゲートの電荷の有無を検出することを特徴とする記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11B 9/00
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 D
, H01L 29/78 371
