半導体素子用ボンディング線

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早川政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262219
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112255
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】Pdの添加によりAu線の強度向上を図ると同時に、ボンディング時における低ループ化を実現して、LSIパッケージの小型,軽量化に対応するに極めて有用な半導体素子用ボンディング線を提供する。【構成】高純度Auに、Pdを1〜40wt%含有せしめると共に、Sc,Y,希土類元素の中から少なくとも1種を0.0001〜0.05wt%含有せしめ、さらにBe,Ca,Ge,Ni,Fe,Co,Agの中から1種以上を0.0001〜0.05wt%含有せしめて溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加工し、更に十分な応力除去を行って線径25μmの母線を成形した。

請求項（抜粋）：

高純度Auに、高純度Pdを1〜40wt%含有せしめると共に、Sc,Y,希土類元素の中から1種以上を、0.0001〜0.05wt%含有せしめてなる半導体素子用ボンディング線。

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