特許

J-GLOBAL ID：200903087641890344

半導体レーザ素子及びその実装方法

発明者： 的場 昭大
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117035
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 ファイバの無調整での位置合わせを確実に精度よく行うことができる半導体レーザ素子及びその実装方法を提供する。【解決手段】 基板上に搭載する位置合わせマーカを設けた半導体レーザ素子において、発光層2となる活性層と同一水準のマスクで半導体レーザ素子1の内部に形成される位置合わせマーカ4を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に搭載する位置合わせマーカを設けた半導体レーザ素子において、発光層となる活性層と同一水準のマスクで半導体レーザ素子の内部に形成される位置合わせマーカを具備することを特徴とする半導体レーザ素子。