特許
J-GLOBAL ID：200903087641974726
薄膜配線およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090268
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 基板上のAlないしAl合金膜の結晶性を高めてSAWフィルターのような超薄膜領域における配線の比抵抗を下げ、また、LSIのような5000Å以上の膜厚を有する配線にあっては、マイグレーション耐性の高い薄膜配線を実現する。【構成】 基板1上に1Å〜500ÅのTi,V,Fe,Co,Ni,Cu,Y等の合金化反応によりAlと金属間化合物ないし中間相を生成しうる金属のいずれか、ないしこれらの金属を構成要素とする合金を堆積させるか、あるいはAlないしAl合金をこれらと同時に堆積させてこれを下地層2とし、その上にAlないしAl合金薄膜3を堆積させ、その後にアニールを行い、薄膜配線とする。【効果】 基板上に直接堆積させたときよりもAlないしAl合金系配線の結晶性が著しく改善され、比抵抗が低くマイグレーション耐性の高いAlないしAl合金薄膜配線を得る。
請求項（抜粋）：
下地層と、薄膜とを有する薄膜配線であって、下地層は、膜厚1Å〜500Åの金属薄膜であり、薄膜は、下地層上に形成されたアルミニウム(Al)あるいはAl合金薄膜であることを特徴とする薄膜配線。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/66
H01L 21/88 N
, H01L 21/88 R
