特許

J-GLOBAL ID：200903087647160798

多結晶シリコンの製造方法、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及びレーザアニール装置

発明者： 松中 繁樹 ,  小原 隆 ,  北川 寿丈 ,  榎波 龍雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144621
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、多結晶化のためのアニール処理の最中に結晶化が適正か否かを知ることを可能とし、それにより最適なアニール処理のための指標をインプロセスで得ることができる、多結晶シリコンの製造方法等を提供することにある。【解決手段】 非晶質シリコンの多結晶化が所定の条件で行われているかをモニタリングする工程とを有する多結晶シリコンの製造方法において、前記非晶質シリコンの多結晶化が所定の条件で行われているかをモニタする工程は、レーザ光の照射前において検出された反射光または透過光の強度とレーザ光の照射中において検出された反射光または透過光の強度との差を検出する工程と、この光の強度の差が最大となったときから反射光または透過光の強度がレーザ光の照射前における反射光または透過光の強度に戻るまでの経過時間を検出する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非晶質シリコンへレーザ光を照射しながら前記基板に対して相対的に所定距離だけ走査させる工程と、このレーザ光の照射により前記非晶質シリコンを多結晶化する工程と、前記基板上への前記レーザ光の照射部位に検査光を照射しその反射光または透過光を検出することで前記非晶質シリコンの多結晶化が所定の条件で行われているかをモニタする工程とを有する多結晶シリコンの製造方法において、前記非晶質シリコンの多結晶化が所定の条件で行われているかをモニタする工程は、前記レーザ光の照射前において検出された前記反射光または前記透過光の強度と前記レーザ光の照射中において検出された前記反射光または前記透過光の強度との差を検出する工程と、この光の強度の差が最大になったときから前記反射光または前記透過光の強度が前記レーザ光の照射前における前記反射光または前記透過光の強度に戻るまでの経過時間を検出する工程とを有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/268 T ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G