特許
J-GLOBAL ID：200903087651092934
炭化ケイ素横形高耐圧MOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213606
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】炭化ケイ素のエピタキシャル成長層を利用して新構造の横形高耐圧MOSFETを製作する。【構成】炭化ケイ素基板1にエピタキシャル成長によりn層2およびp層3を積層し、p層2にゲート溝14を形成し、n層2を露出させ、p層3の表面層に選択的にn+ ソース領域4を形成し、露出したn層2の表面層に選択的にn+ドレイン領域6を形成し、n+ ソース領域4とn層2に挟まれたp層の側面にゲート酸化膜を介してゲート電極9を形成する。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素半導体基板上に炭化ケイ素の第一導電形層が積層され、さらに第二導電形層が積層される積層基板において、第二導電形層の表面層にソース領域となる第一導電形領域が選択的に形成され、この第一導電形領域を有する第二導電形層が部分的に除去されて第一導電形層が露出し、この露出した第一導電形層の表面層にドレイン領域となる高濃度の第一導電形領域が選択的に形成され、部分的に除去された第二導電形層の側面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されることを特徴とする炭化ケイ素横形高耐圧MOSFET。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 653 B
