歪みシリコンフィンFETデバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153999
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019970
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】新規の絶縁体基板上の歪みシリコンフィンFETデバイスにより、MOSFETデバイスの性能をさらに改善する。【解決手段】絶縁体基板13と、基板上に配置されるシリコンシードフィン10構造と、シードフィン10構造上に製造される歪みチャネル層11の歪みシリコンフィン構造を形成する。チャネル層11の歪みは、チャネル11層材料とシードフィン10材料との間の格子不整合の結果である。または更に、シードフィン11構造と基板13との間に配置されたアンダーシード層をさらに含み、アンダーシード層の材料は、シードフィン10の材料の格子定数と異なる格子定数を有し、シードフィン10構造は、アンダーシード層材料とシードフィン10材料と間の格子不整合に起因して歪む構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体基板と、該基板上に配置されるシリコンシードフィン構造と、該シードフィン構造上に製造される歪みチャネル層であって、該チャネル層の材料は該シードフィンの材料の格子定数と異なる格子定数を有する、歪みチャネル層とを含み、該チャネル層の歪みは、該チャネル層材料と該シードフィン材料との間の格子不整合の結果である、歪みシリコンフィン構造。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 618C , H01L29/78 617K , H01L29/78 301B , H01L29/78 301X

Fターム (91件)：

5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HJ16 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HM04 , 5F110HM15 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F140AA05 , 5F140AA21 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BH02 , 5F140BH15 , 5F140BH32 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CE14 , 5F140CF04 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (4件)

特許第6475869号
縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-225071 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-042250 出願人：三菱電機株式会社

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