半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉武賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-569882
公開番号（公開出願番号）：特表2003-528467
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】本発明は、例えばシリコンを含む基板(1)と、基板(1)の上に設けられ少なくとも有機材料を含む有機材料層(2,4)とを備え、基板(1)上に有機材料層(2,4)を貫通してその平面に対しほぼ垂直な側壁(7,9)を有するホール(6,8)が形成された半導体装置に関する。基板(1)の少なくともホール(6,8)に隣接する部分上に金属層(11)が設けられ、ホール(6,8)の側壁(7,9)を形成する有機材料層(2,4)は酸化物ライナ(12)によって被覆され、ホール(6,8)内に金属(14)が充填される。本発明に従い、酸化物ライナ(12)とホール(6,8)を満たす金属(14)との間にTiまたはTaを含む金属ライナ(13)が設けられる。これにより本装置は有機材料層(2,4)と相互接続金属(14)との間に良好なバリヤを持つことになり、有機材料層(2,4)が種々の処理ステップ中に良好な保護機能を達成する。

請求項（抜粋）：

基板(1)と、前記基板(1)の上に設けられ少なくとも有機材料を含む有機材料層(2,4)とを備え、前記基板(1)上に前記層(2,4)を貫通してその平面に対しほぼ垂直な側壁(7,9)を有するホール(6,8)が形成され、前記基板(1)の少なくとも前記ホール(6,8)に隣接する部分上に金属層(11)が設けられ、前記ホール(6,8)の前記側壁(7,9)を形成する前記有機材料層(2,4)は酸化物ライナ(12)によって被覆され、前記ホール(6,8)内に金属(14)が存在する半導体装置において、前記ホール(6,8)内に存在する前記酸化物ライナ(12)と前記金属(14)との間にTiまたはTaを含む金属ライナ(13)が存在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 A

Fターム (35件)：

5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033MM02 , 5F033MM10 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ92 , 5F033RR02 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033TT07 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BF04 , 5F058BF22 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BJ02

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