特許

J-GLOBAL ID：200903087663592495

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 大井 誠 ,  小野田 宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192071
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037329
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 各メモリセルのしきい値電圧のばらつきを低減し、かつそれにより生じる「オーバーイレーズ現象」を防止し得る不揮発性半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 電荷蓄積電極3および制御電極6は、アモルファスシリコン層または複数のポリシリコン層から形成されている。これにより、電荷蓄積電極および制御電極の結晶構造は、非晶質構造または小さいグレインサイズとなる。これにより、電荷蓄積電極および制御電極を通過する不純物イオンのエネルギ損失は一定となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の上に第1の絶縁膜を介して形成された電荷蓄積電極と、この電荷蓄積電極の上に第2の絶縁膜を介して形成された制御電極と、前記電荷蓄積電極を両側から挟む位置であって、前記半導体基板の表面から所定の深さにかけて形成された不純物領域と、を備え、前記電荷蓄積電極および前記制御電極のうちの少なくとも前記制御電極は、アモルファスシリコンよりなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434