特許
J-GLOBAL ID：200903087668123981

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
渡辺 大志

渡辺 大志 について

, 
柴田 直樹

柴田 直樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208730
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 蛍光体を利用した発光素子において、製造工程を簡略化すること、蛍光体の添加量の制御を容易にすること、及び効率的に蛍光体を励起、発光させ高輝度の発光を得ることを課題とする。【解決手段】 サファイア基板上に複数のIII族窒化物系化合物半導体層を形成させて構成される発光素子において、いずれかの半導体層に蛍光体を含有させることにより、発光素子自体に蛍光体を組み込む。当該層をMOCVD法により成長させる際、原料ガスの一部として蛍光体を含有するガスを供給することにより、蛍光体を含有する層が形成される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に形成される複数のIII族窒化物系化合物半導体層と、を備え、前記III族窒化物系化合物半導体層の少なくとも一つの層には蛍光体が含有されている、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA42 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73
引用特許：
審査官引用 (4件)
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