半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-033875
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228819
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、主表面1aを有するガラス基板1と、主表面1a上に設けられ、チャネル領域11と、チャネル領域11の両側に位置するソース領域9およびドレイン領域13とが形成されたポリシリコン膜7と、ポリシリコン膜7に接触するように設けられ、酸素を含むゲート絶縁膜17と、ゲート絶縁膜17を介してチャネル領域11に向い合う位置に設けられたゲート電極21とを備える。ポリシリコン膜7は、50nmを超え150nm以下の厚みを有する。ポリシリコン膜7は、0.5原子%以上10原子%以下の水素を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主表面を有する基板と、前記主表面上に設けられ、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側に位置するソース領域およびドレイン領域とが形成され、50nmを超え150nm以下の厚みを有する半導体膜と、前記半導体膜に接触するように設けられ、酸素を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に向い合う位置に設けられたゲート電極とを備え、前記半導体膜は、0.5原子%以上10原子%以下の水素を含む、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/322

FI (7件)：

H01L29/78 618C , H01L21/20 , H01L21/322 Z , H01L29/78 618G , H01L29/78 618E , H01L29/78 616T , H01L29/78 616V

Fターム (49件)：

5F052AA02 , 5F052BB02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052JA01 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (2件)

薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-161782 出願人：株式会社東芝
レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-063107 出願人：三菱電機株式会社, セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (6件)

特開平4-151820
特開平1-169962
特開昭61-046069

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