特許
J-GLOBAL ID：200903087671836743
ハイブリッドIC
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214095
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061372
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】本発明は、配線基板の両面に複数の回路素子を搭載し、リードフレームの突起部に半導体チップを直に配置する大出力用のトランスファモールド構造のハイブリッドICを提供することを目的とする。【構成】ハイブリッドIC100は、トランスファモールド構造であり、一部にパワートランジスタ3を配置する為の1つ以上のパワートランジスタ配置部17が形成されており、パワートランジスタ配置部17にパワートランジスタ3が直に配置されており、パワートランジスタ3の発する熱を放熱するヒートシンク10を有するリードフレーム12と、その一部にリードフレーム12に配置されたパワートランジスタ3に嵌合する穴18が形成されており、その両面に複数の回路素子4を搭載する配線基板13を具備する。リードフレーム12に形成されたパワートランジスタ配置部17と配線基板13の一部が重なるように構成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
トランスファモールド構造のハイブリッドICにおいて、一部に半導体チップを配置する為の1つ以上の突起部が形成されており、前記突起部に前記半導体チップが直に配置されており、前記半導体チップの発する熱を放熱する放熱手段を有するフレーム部と、一部に前記フレーム部に配置された半導体チップに嵌合する穴が形成されており、複数の回路素子が搭載される配線基板を具備し、前記フレーム部に形成された突起部と前記配線基板に形成された穴が重なるように構成されることを特徴とするハイブリッドIC。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 23/50
, H01L 25/04
, H01L 25/18
