特許

J-GLOBAL ID：200903087677105236

半導体装置

発明者： 九嶋 忠雄 ,  田中 明 ,  斎藤 隆一 ,  鈴木 和弘 ,  小池 義彦 ,  清水 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146896
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340374
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】パワー半導体装置の耐電圧性能の信頼性を向上する。【解決手段】モジュール型のパワー半導体装置において、絶縁板(3a)の表面において、導電体(3b)の端部と絶縁板の外周端との間に位置する領域が、樹脂(4)で被覆され、樹脂の端部は導電体の端部と絶縁板の外周端との間に位置する。【効果】外周端の変形などを起こすような樹脂内の応力が緩和されるので、パワー半導体装置の耐電圧性能が低下しにくくなる。

請求項（抜粋）：

ベース板と、表面に導電体を有し、裏面が前記ベース板に対向するように前記ベース板に搭載される絶縁板と、前記絶縁板を囲む容器と、前記容器内に収納される半導体素子と、前記容器内に充填される第1の樹脂と、を備え、前記絶縁板の前記表面において、前記導電体の端部と前記絶縁板の外周端との間に位置する領域が、第2の樹脂で被覆され、前記第2の樹脂の端部は前記導電体の端部と前記絶縁板の前記外周端との間に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/28 L ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-258618   出願人：富士電機株式会社