特許

J-GLOBAL ID：200903087684442388

薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： 佐竹 徹也 ,  西村 浩之 ,  反田 哲史 ,  足達 廣士
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131736
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330303
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 均質な薄膜が得られ、例えば半導体集積回路の微細回路形成時の歩留まりが向上し、装置の汚染も防止される薄膜形成方法を得ることができる。【構成】 水、テトラエトキシシランおよびエタノールからなるゾルゲル溶液1のエアロゾル6を発生させて反応容器8へ運び、バブラー15とためます16から得られるエタノール蒸気を反応容器8に供給しながら基板10にエアロゾル6を付着させて薄膜層を形成する。

請求項（抜粋）：

水と膜原料とこの膜原料を溶解する有機溶媒とを含有するゾルゲル溶液を噴霧して上記ゾルゲル溶液のエアロゾルを生成し、このエアロゾルを、上記有機溶媒の蒸気を供給しながら基板に付着させて薄膜層とする薄膜形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  B01J 19/00 ,  B05D 1/02 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 301 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/316 T ,  B01J 19/00 K ,  B05D 1/02 ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 301 J ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/90 P