特許

J-GLOBAL ID：200903087684789396

半導体装置

発明者： 飯沼 俊彦 ,  山田 啓作
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110070
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304164
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 高速化、低消費電力化及び高集積化ができ、製造工程が容易にできることを目的とする。【構成】 基板1上に絶縁膜2を介してメサ型形状を有する第1導電型の第1の半導体層3が形成され、第1の半導体層3の側面に第2導電型の第2の半導体層4,第1導電型の第3の半導体層5が順次形成された。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介してメサ型形状を有する第1導電型の第1の半導体層が形成され、前記第1の半導体層の側面に第2導電型の第2の半導体層,第1導電型の第3の半導体層が順次形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B ,  H01L 29/78 311 S