特許

J-GLOBAL ID：200903087689668120

半導体レーザ,及びその製造方法

発明者： 永井 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227888
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068231
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 無効電流を増加させることなくリッジ導波路と活性層との間に位置する上クラッド層の厚さを厚くすることができる半導体レーザ、及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 p-AlGaAs第1上クラッド層4上に、レーザ共振器端面に対して垂直な方向にストライプ状に伸びる所定幅の電流狭窄領域100を除く領域10が酸化されているp-AlAs電流狭窄層5と、その幅方向の中心が、電流狭窄領域100の幅方向の中心上に位置するように電流狭窄層5上に配置された、その電流狭窄層5と接する側の幅が電流狭窄領域100の幅よりも広い、リッジ形状を有するp-AlGaAs第2上クラッド層6とを備えるようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に順次配置された、第1導電型下クラッド層,活性層、及び第2導電型第1上クラッド層と、該第1上クラッド層上に配置された、第1上クラッド層よりも高い組成比でアルミを含む半導体材料からなり、その所定の方向にストライプ状に伸びる所定幅の電流狭窄領域を除く領域が酸化されている第2導電型電流狭窄層と、上記第1上クラッド層と同じ材料からなるとともに、その幅方向の中心が、上記電流狭窄領域の幅方向の中心上に位置するように上記電流狭窄層上に配置された、その上記電流狭窄層と接する側の幅が上記酸化されていない領域の幅よりも広い、ストライプ状に伸びるリッジ形状を有する第2導電型第2上クラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。