特許

J-GLOBAL ID：200903087692889855

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061841
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232574
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 素子活性領域の幅が同じでも、不純物拡散層の表面に形成されている化合物層の幅を広くして不純物拡散層のシート抵抗を低くする。【解決手段】 素子分離領域におけるSiO2 膜13の表面をSi基板11の上面よりも低くした後、不純物拡散層18及び多結晶Si膜15の表面にTiSi2 層19を形成する。このため、TiSi2 層19の表面がSiO2 膜13との境界部においてSiO2 膜13の表面に向かって低くなり、この段差がない構造に比べて、素子活性領域の幅が同じでもTiSi2 層19の幅が広い。従って、不純物拡散層18のシート抵抗が低く、電流駆動能力等が高い。

請求項（抜粋）：

不純物拡散層の表面に形成されており半導体と金属とから成っている化合物層の表面が、前記不純物拡散層と素子分離領域との境界部において前記素子分離領域における絶縁膜の表面に向かって低くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 X