特許

J-GLOBAL ID：200903087696470417

半導体装置

発明者： 石塚 芳樹 ,  野崎 秀俊 ,  山口 鉄也 ,  飯田 義典 ,  古川 章彦 ,  佐久間 尚志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064406
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 アモルファス半導体層の高品質化に伴う膜剥がれ或いはダストの発生を抑制することができ、固体撮像素子等における残像の低減と共に歩留まり向上をはかり得る半導体装置を提供することにある。【解決手段】 アモルファス半導体から構成された光電変換ダイオードを備えた半導体装置において、光電変換ダイオードは、a-SiC:H(i)電子注入阻止層21,a-Si:H(i)光電変換層22,及びa-SiC:H(p)正孔注入阻止層23とを積層したものであり、かつ光電変換層22の正孔注入阻止層23との界面近傍の領域のみを他の領域と比較してバンドギャップ内局在準位密度を小さくしている。

請求項（抜粋）：

アモルファス半導体から構成された光電変換ダイオードを備えた半導体装置において、前記光電変換ダイオードは、少なくとも光電変換層と正孔注入阻止層とを積層したものであり、かつ光電変換層の正孔注入阻止層との界面近傍の領域のみを他の領域と比較してバンドギャップ内局在準位密度を小さくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-177077
  
• 特開平4-088675
  
• 特開平4-261070
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-177077
  
• 特開平4-088675
  
• 特開平4-261070