特許

J-GLOBAL ID：200903087696842055

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 佐々 道成 ,  真部 勝英 ,  加藤 久喜 ,  小出 典克
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308155
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光強度の向上。【構成】N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN; X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、I層を、N層4と接合する側から順に、P型不純物濃度が段階的に増加する第1I層5、第2I層6、第3I層7の3層構造にした。この構造により電子、正孔の注入効率が向上した。又、N層4と第1I層5との接合面、第1I層5と第2I層6との接合面及び第2I層6と第3I層7との接合面で発光し、発光輝度が向上した。

請求項（抜粋）：

N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記I層を、前記N層と接合する側から順に、P型不純物濃度を段階的に増加させた第1I層、第2I層、第3I層で形成したことを特徴とする発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-252177