ボンディング部のメッキ構造

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131573
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287994
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】半導体半田付け部およびワイヤーボンディング部のメッキ構造にかかわる。【解決方法】半導体および電子部品の半田付部分あるいはワイヤボンディング部分に、下地メッキとしてNi-Bメッキが0.01〜20μmメッキされ、該Ni-Bメッキ膜の上にPdが0.001〜10μmメッキされ、該Pdメッキ膜の上にAuが0.005〜5μmメッキされてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体および電子部品の半田付部あるいはワイヤボンディング部に、下地メッキとしてNi-Bメッキが0.01〜20μmメッキされ、該Ni-Bメッキ膜の上にPdが0.005〜10μmメッキされてなることを特徴とするボンディング部のメッキ構造。

IPC (6件)：

C25D 5/24 , C23C 18/50 , C23C 28/02 , H01L 21/288 , H01L 21/60 301 , H01L 21/321

FI (7件)：

C25D 5/24 , C23C 18/50 , C23C 28/02 , H01L 21/288 E , H01L 21/60 301 P , H01L 21/92 603 E , H01L 21/92 604 M

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-337657
ICパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-018934 出願人：住友金属工業株式会社
半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-333645 出願人：株式会社後藤製作所

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