特許

J-GLOBAL ID：200903087699885383

窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法

発明者： ベルナール、ボーモン ,  ピエール、ジバール ,  ジャン-クロード、ギヨーム ,  ジル、ナタフ ,  ミシェル、バイイ ,  スフィアン、アフー
出願人/特許権者： サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス)
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-517131
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520169
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：

【要約】本発明は、第一に、窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル層の製造方法であって、基材上にマスクとして機能する誘電体層を蒸着させ、エピタキシャル蒸着により、マスクされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムパターンの蒸着および該パターンの異方性の横方向成長を生じさせ、個々のパターンが合着するまで横方向成長を続行することを特徴とする方法に関する。窒化ガリウムパターンの蒸着は、誘電体エッチングにより予め行なうか、または1オングストロームのオーダーの厚さを有する誘電体被膜で基材を被覆することにより、その場で行なうことができる。本発明は、該方法により得られる窒化ガリウム層にも関する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法であって、基材(1)上にマスクとして機能する誘電体層(3)を蒸着させ、エピタキシャル蒸着条件下で、マスクされた基材上に窒化ガリウムを再成長させ、窒化ガリウムの特徴的構造の蒸着および前記特徴的構造(6)の異方性および横方向成長を生じさせ、横方向成長を個々の特徴的構造が合着するまで続行することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077245   出願人：日亜化学工業株式会社