特許

J-GLOBAL ID：200903087704385955

半導体ウエハの洗浄処理方法及び装置

発明者： 中澤 孝夫 ,  原田 宙幸
出願人/特許権者： 三菱商事株式会社 ,  株式会社ハルナ
代理人 (1件)： 山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163460
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340880
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 槽内での渦水流による滞留部発生を防止し、ウエハ洗浄をより効率的に行える急速置換による効率の良い半導体ウエハの洗浄処理方法及び洗浄処理装置を提供する。【解決手段】 洗浄槽1に設けられた純水又は薬液用の供給部2及び排出口4を有し、槽内に供給部2側から排出口4側に向かう水流を形成する半導体ウエハの洗浄処理方法において、排出口4側に接続された液移送用ポンプ5と、ポンプ5の排出量を可変する制御手段9とを少なくとも有し、洗浄過程で、制御手段9にてポンプ5の排出量を変動し、槽内からの排出量を周期的、或いは非周期的に変化させるようにした。

請求項（抜粋）：

洗浄槽に設けられた純水又は薬液用の供給部及び排出口を有し、槽内に前記供給部側から前記排出口側に向かう水流を形成する半導体ウエハの洗浄処理方法において、前記排出口側に接続された液移送用ポンプと、該ポンプの排出量を可変する制御手段とを少なくとも有し、洗浄過程で、前記制御手段にて前記ポンプの排出量を変動し、槽内からの排出量を周期的、或いは非周期的に変化させる、ことを特徴とする半導体ウエハの洗浄処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 S