特許

J-GLOBAL ID：200903087706667885

周辺露光方法および装置

発明者： 岸川 豊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186066
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 露光パワ-を向上させてスル-プットを向上させ、しかも周辺露光の任意露光形状を高精度に制御し得る周辺露光方法を提供する。【解決手段】 リソグラフィ-プロセスにおけるレジストコ-ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう際、集光露光によって行なうと共に、上記集光された光が可変スリットを介して周辺露光に供される。

請求項（抜粋）：

半導体リソグラフィ-プロセスにおけるレジストコ-ティング時に被処理基板の周辺露光をスリットを介して行なう際、集光する光によって露光を行なうことを特徴とする周辺露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 577 ,  G03F 7/20 521