特許
J-GLOBAL ID：200903087707264300

KFを含有するチタン酸バリウム系圧電体またはその製造方法

発明者：
秋重 幸邦

秋重 幸邦 について


出願人/特許権者：
国立大学法人島根大学

国立大学法人島根大学 について


代理人 (1件)： 田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-122088
公開番号（公開出願番号）：特開2007-326768
出願日： 2007年05月07日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】鉛を含まない新規な強誘電体または圧電定数の大きい新規な圧電体を提供する。【解決手段】圧電体は一般式がBa1-xKxTiO3-xFx(ただし、0<x<0.13)として表される組成を有する強誘電体結晶である。この結晶は、Baに対するTiのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、KFを融剤としたフラックス法によりBaTiO3結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。その圧電定数d33は室温で300pC/Nであり、比誘電率ε’は12000である。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
BaTiO3結晶のうち、Baの一部がKに置換され、Oの一部がKと実質的に同量のFに置換された組成を有するチタン酸バリウム系圧電体。
IPC (5件)：
C30B 9/12 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/09 ,  C04B 35/46
FI (5件)：
C30B9/12 ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 C ,  C04B35/46 J
Fターム (15件)：
4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA40 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G077AA02 ,  4G077BC42 ,  4G077CC02 ,  4G077EC02 ,  4G077EC07 ,  4G077HA05 ,  4G077HA11 ,  4G077LA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 特表昭63-503456
  • 特開昭47-026690
  • 特公昭48-043715
引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Crystalline network influence on the variation of T c with the F-O substitution rate in oxyfluorides

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