特許
J-GLOBAL ID：200903087712005240
位相シフトレチクル
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169797
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036253
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程、特に回路パターンなどを転写するリソグラフィー工程に利用する半透過膜を用いた位相シフトレチクルに関し、遮光膜を設けることなくデバイス領域の多重露光を阻止すると共に、安定して位置検出信号を得ることができる位相シフトレチクルを提供する。【構成】 透明なガラス基板10上に、入射光の位相をシフトする半透過膜12によるパターン20が形成された位相シフトレチクルにおいて、パターン20における、入射光を阻止すべき遮光部は、半透過膜12の形成されていない領域と半透過膜12の形成された領域が繰り返して配列された繰り返しパターンにより形成されており、繰り返しパターンが配列された周期と、半透過膜12の形成されていない領域と半透過膜12の形成された領域との面積比が、入射光を遮光するように定められている。
請求項（抜粋）：
透明なガラス基板上に、入射光の位相をシフトする半透過膜によるパターンが形成された位相シフトレチクルにおいて、前記パターンにおける、前記入射光を阻止すべき遮光部は、前記半透過膜の形成されていない領域と前記半透過膜の形成された領域が繰り返して配列された繰り返しパターンにより形成されており、前記繰り返しパターンが配列された周期と、前記半透過膜の形成されていない領域と前記半透過膜の形成された領域との面積比が、前記入射光を遮光するように定められていることを特徴とする位相シフトレチクル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
