特許
J-GLOBAL ID：200903087718038778
抵抗体ペースト、厚膜抵抗体の形成方法および厚膜基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089016
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288801
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】鉛などの環境に対し悪影響を与える物質を使用することなく抗温度係数(TCR)の小さい厚膜抵抗体を得る。【解決手段】 Cu系導体2,3を配置したセラミック基板1の上に、銅粉とニッケル粉の混合粉(Cu/Ni=60/40〜80/20)からなる導電性粉末と、該導電性粉末100重量部に対し3〜20重量部のガラス粉末および1〜10重量部の銅酸化物粉末を、有機樹脂および溶剤からなるビヒクルに、導電成分の割合が75〜90重量%で分散した抵抗体ペーストを印刷する。そして、窒素雰囲気下で焼成して厚膜基板を製造する。抵抗体ペーストはガラスの主成分がZnOやBaOまたはその両方からなり、銅酸化物がCu2 OまたはCuO、あるいはCu2 OとCuOの混合物からなる。銅粉の粒径が0.1μm〜2μm、ニッケル粉の粒径が0.1μm〜2μm、銅酸化物の粒径が1μm〜10μmである。
請求項（抜粋）：
銅粉とニッケル粉の混合粉またはCu-Ni合金粉からなる導電性粉末と、該導電性粉末100重量部に対し3〜20重量部のガラス粉末および1〜10重量部の銅酸化物粉末を、有機樹脂および溶剤からなるビヒクルに、導電成分の割合が75〜90重量%で分散したことを特徴とする窒素雰囲気焼成用抵抗体ペースト。
IPC (3件)：
H01C 7/00
, H01B 1/22
, H01C 17/06
H01C 7/00 K
, H01B 1/22 C
, H01C 17/06 G
