特許
J-GLOBAL ID：200903087724438630
誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236736
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273986
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 静電容量の温度特性が良好で、内部導体材料としてニッケル等の卑金属を用いることができ、還元性雰囲気中で焼成可能な、積層セラミックコンデンサ等のための誘電体層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ペロブスカイト構造のc軸/a軸比が1.003〜1.010、結晶格子中のOH基量が1wt%以下のチタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セラミック。好ましくは、原料のチタン酸バリウム系粉末は、最大粒子径が0.5μm以下、平均粒子径が0.1〜0.3μm、1つの粉体粒子において、結晶性の低い部分21と高い部分23とからなり、結晶性の低い部分21の直径が粉体粒径の0.65未満で、さらに、焼成において、(焼成後の誘電体セラミックの平均粒径)/(原料のチタン酸バリウム系粉末の平均粒径)の比Rが0.90〜1.2の範囲内にあるように、顕著な粒成長が抑制される。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト構造のc軸/a軸比が1.003〜1.010であり、結晶格子中のOH基量が1wt%以下のチタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セラミック。
IPC (3件)：
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, C04B 35/46
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
, C04B 35/46 D
