特許

J-GLOBAL ID：200903087725392820

薄膜コンデンサとその製造方法、及び薄膜コンデンサを備えるコンピュータ

発明者： 藤原 徹男 ,  生田目 俊秀 ,  鈴木 孝明 ,  村田 康彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348423
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167975
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 1GHz以上の高周波領域でも静電容量の低下が小さい薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 下部電極26上にペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜を形成し、その後、水素を含む雰囲気における熱処理、上部電極と下部電極との間にペロブスカイト型酸化物の抗電界以上の直流電界を1秒以上印加する処理、上部電極と下部電極との間にペロブスカイト型酸化物の抗電界以上の電界を正負交互に105回以上印加する処理のいずれかを行い、誘電体薄膜の残留分極値を2.0μC/cm2以下にする。

請求項（抜粋）：

上部電極と、誘電体薄膜と、下部電極とを有する薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極と前記下部電極の間に印加する電圧の周波数が1kHz以下の場合の低周波比誘電率が500以上であり、前記周波数を1GHzにした場合の高周波比誘電率が前記低周波比誘電率の値の80%以上であることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 ,  C04B 35/49 ,  H01G 4/12 415

FI (3件)：

C04B 35/49 Z ,  H01G 4/12 415 ,  H01G 4/06 102

Fターム (36件)：

4G031AA03 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC30 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP01 ,  5E082PP05 ,  5E082PP06 ,  5E082PP08