バックエンドプロセスを使用する相変化抵抗体の製造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-551798
公開番号（公開出願番号）：特表2008-529269
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

相変化抵抗体デバイスは、相変化材料(PCM)を有し、このPCMによって、PCM内部で相転移が起こり、接点電極とのインタフェースでは相転移が起きない。PCMの製造を容易にするために、細長いライン構造(210,215)を、その側面で導電性の電極部(200,240)によって囲み、CMOSのバックエンドプロセスで形成する。代替方法としては、電極なしで直接他の回路部分と結合してこのデバイスを形成するものがある。いずれの場合においても、PCMのラインは、スペーサをハードマスクとして利用して縮小した寸法で形成した、一定の直径または断面積を有する。第1の接点電極および第2の接点電極を、PCMの「一次元的な」層により電気的に接続する。PCMの一次元的な層と第1接点電極および第2接点電極との間の接触抵抗は、上述のラインの中心部分または中間部分の抵抗よりも低い。

請求項（抜粋）：

第1相と第2相との間で変化する相変化材料を備えた抵抗体を有する電気デバイスにおいて、前記抵抗体は前記相変化材料が前記第1相であるときには第1電気抵抗を有し、前記相変化材料が前記第2相であるときには、前記第1電気抵抗とは異なる第2電気抵抗を有し、前記相変化材料は第1の接点領域と第2の接点領域との間における導電性の経路を構成し、前記接点領域とは異なり、前記第1の接点領域における電流密度および前記第2の接点領域における電流密度よりも高い電流密度を提供し、前記抵抗体はその長さ方向に沿って断面積がほぼ一定の細長い形状を有する構成としたことを特徴とする電気デバイス。

IPC (2件)：

H01L 45/00 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L45/00 A , H01L27/10 448

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083PR09

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許出願公開第2002/00011374号明細書
米国特許第5166758号明細書
米国特許第6545903号明細書

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