特許

J-GLOBAL ID：200903087736090310

集積回路およびその製造方法

発明者： テイラー アール.エフランド ,  デイル ジェイ.スケルトン ,  クァング ズアン マイ ,  チャールズ イー.ウィリアムズ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142684
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056031
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 プラスチックパッケージ内にカプセルされためっきされた銅相互接続表面層を有する集積回路を提供する。【解決手段】 基板23を覆って第1および第2の金属被覆層27,31が形成され、デバイスのうちの選択された1つに接触し、ビアを通じて互いに接触し得る。その上を覆う銅の厚い表面レベル金属層35は、デバイスの相互接続金属被覆の抵抗を実質的に下げる。銅表面レベル相互接続層35は、ボンドワイヤ41を受け入れ可能な物質の薄いバリヤ層37でコートされる。銅相互接続金属と物理的に接触したプラスチックパッケージ22を使用することにより、不活性化層の必要をなくした。

請求項（抜粋）：

デバイスが内部に形成されたシリコン基板と、少なくとも部分的に前記デバイスに重なりかつ該デバイスに電気的に接触しているめっきされた銅上面レベル相互接続物質の表面層と、前記シリコン基板と前記めっきされた銅上面レベル相互接続物質の表面層との周囲に形成された、前記銅上面レベル相互接続物質に物理的に接触しているプラスチックパッケージとを含む、プラスチックパッケージされた集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 21/60 301 P