特許

J-GLOBAL ID：200903087745189893

薄膜パターンの形成方法

発明者： 松本 憲一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235510
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 基板の上面に金属触媒層を積層し、該金属触媒層の上層に導電層を無電解メッキによって積層することで薄膜パターンの形成を行う薄膜パターンの形成方法に関し、パターンニングの平坦化および製造工程の簡素化を図ることを目的とする。【構成】 パターンニングされた金属触媒層と、該金属触媒層に隣接される絶縁バリア層とを所定の基板の上面に積層し、無電解メッキを施すことで該金属触媒層の上層に導電材による導電層を該絶縁バリア層の上端面と同面となる如く積層し、該金属触媒層と、該導電層とより成る第1の薄膜パターンが該絶縁バリア層間の谷部に形成されるように構成する。

請求項（抜粋）：

パターンニングされた金属触媒層(2) と、該金属触媒層(2)に隣接される絶縁バリア層(5) とを所定の基板(1) の上面(1A)に積層し、無電解メッキを施すことで該金属触媒層(2) の上層に導電材による導電層(3) を該絶縁バリア層(5) の上端面(5A)と同面となる如く積層し、該金属触媒層(2) と、該導電層(3) とより成る第1の薄膜パターン(4-1) が該絶縁バリア層(5) 間の谷部(6) に形成されることを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/18 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-086160
  
• 特公昭55-023480