特許
J-GLOBAL ID：200903087751072787
垂直微小共振器型発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343968
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174328
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い垂直微小共振器型発光ダイオードを提供する。【解決手段】 1対の多層反射層3,10によって共振器長が発光波長が1/2波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層7設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層7が存在するようになし、共振器QED効果によって自然放出が増強される構造とする。各々の量子井戸層7a,7bの両側に厚みの相異なるトンネルバリア層6a,6b,8a,8bを配し、各々の量子井戸層7a,7bのへの電子・正孔の供給量を制御できる構成とする。この構成により、2つの量子井戸層7a,7bの発光再結合をほぼ同一に制御することができるようになり、一方の量子井戸で起きていたキャリアの数が多過ぎることによるキャリア準位の幅広化を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の量子井戸層を有する発光層と、当該発光層を挟んで両側に設けられた1対の多層反射層とを有する垂直微小共振器型発光ダイオードにおいて、前記量子井戸層の各々の両側に接して形成された各1対のトンネルバリア層トンネルバリア層とを備え、各対の前記トンネルバリア層のいずれの厚さも、他の対の前記2トンネルバリア層のいずれの厚さとも相異している、ことを特徴とする垂直微小共振器型発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01S 3/18 652
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CB15
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073DA05
