特許
J-GLOBAL ID：200903087757356043
電界放出型電子源及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-096895
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 任意の曲率を持つ曲面への適用が可能な電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板を用いて形成されたタワー形状の陰極109が、裏面のシリコン基板部を除去した後、任意の曲率を有する支持基板113上にフレキシブルなフィルム形状のまま裏面の酸化シリコン膜102を介して張合わせされており、陰極形成の時の微細加工性を損なうことなく、任意の曲面への張りあわせが可能であり、パネル応用の適用範囲が大幅に拡大する。
請求項（抜粋）：
基板上に、第一の薄膜層と、該第一の薄膜層上に形成された第二の薄膜層とが順次積層して形成された構成を有し、該第二の薄膜層上に絶縁膜を介して形成され陰極形成領域に開口部を有する引き出し電極と、前記引き出し電極の開口部内に形成された陰極とを備えたことを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
