特許

J-GLOBAL ID：200903087760140566

過熱保護機能半導体スイッチ

発明者： 長浜 英雄 ,  萩原 洋右
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389027
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188267
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 パワー素子の温度変化のみを検知し、過熱保護精度を向上させた過熱保護機能半導体スイッチを提供すること。【解決手段】 負荷電流の流れる主回路に設けられたパワー素子1と、パワー素子1の発熱量が許容範囲を超えたときにパワー素子1を遮断する過熱保護回路2とを備えた過熱保護機能半導体スイッチ。過熱保護回路2は、少なくとも使用環境温度を検知し、その温度に応じて過熱保護レベルを調整する制御回路5を有したことを特徴とする過熱保護機能半導体スイッチ。

請求項（抜粋）：

負荷電流の流れる主回路に設けられたパワー素子と、パワー素子の発熱量が許容範囲を超えたときにパワー素子を遮断する過熱保護回路とを備えた過熱保護機能半導体スイッチにおいて、前記過熱保護回路は、少なくとも使用環境温度を検知し、その温度に応じて過熱保護レベルを調整する制御回路を有したことを特徴とする過熱保護機能半導体スイッチ。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

Fターム (10件)：

5F038AV06 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH16 ,  5F038CA08 ,  5F038CD11 ,  5F038DF06 ,  5F038EZ20