特許

J-GLOBAL ID：200903087765196756

半導体装置及びその製造方法

発明者： 下井田 良雄 ,  早見 泰明 ,  星 正勝 ,  篠原 俊朗
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354807
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 支持基板1Aに絶縁体1Bを介在して活性基板1Cを張り合わせたSOI構造の半導体基板1を有効に利用しつつ、素子領域で発生した熱の放熱効果が簡易に向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。インテリジェントパワーデバイスを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 SOI構造を採用する半導体基板1の活性基板1C及び絶縁体1Bを貫通する放熱用トレンチ4を形成し、この放熱用トレンチ4内部に埋設活性体5を埋設する。放熱用トレンチ4は素子分離領域の分離用トレンチ2を利用して形成される。埋設活性体5は、熱伝導性が高く、パワートランジスタの動作領域を形成する。パワートランジスタの動作で発生する熱は埋設活性体を通して支持基板1Aに放出される。

請求項（抜粋）：

支持基板上に絶縁体を介して活性基板を形成したSOI構造の半導体基板と、前記活性基板を貫通する第1トレンチと、前記第1トレンチ内部に埋設された埋設絶縁体と、前記半導体基板の素子領域の少なくとも一部に形成され前記活性基板及び絶縁体を貫通する第2トレンチと、少なくとも前記絶縁体に比べて熱伝導性が高くかつ導電性を有し、前記第2トレンチ内部に埋設された埋設活性体と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (10件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 Z ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/78 656 E