特許
J-GLOBAL ID：200903087775806153

固体撮像装置、その製造方法および撮像装置

発明者：
秋山 健太郎

秋山 健太郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-331559
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147333
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。【解決手段】半導体層11中に形成された光電変換部21と、前記光電変換部で21光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部21に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層11に形成された信号回路部(図示せず)と、前記光電変換部21を透過した光を前記光電変換部21側に反射するもので前記光電変換部21の光入射側とは反対側に形成された反射層43とを備え、前記反射層43は、タングステン層もしくは少なくともタングステン層を含む層からなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層中に形成された光電変換部と、 前記光電変換部で光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層に形成された信号回路部と、 前記光電変換部を透過した光を前記光電変換部側に反射するもので前記光電変換部の光入射側とは反対側に形成された反射層とを備え、 前記反射層は、タングステン層もしくは少なくともタングステン層を含む層からなる ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01L31/10 A
Fターム (19件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GD15 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA06 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ16
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-306182   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平3-153075
  • 撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-133224   出願人：キヤノン株式会社
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