特許
J-GLOBAL ID:200903087776818686
ダイヤモンド系材料を用いた電界放出表示素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-343232
公開番号(公開出願番号):特開2001-160366
出願日: 1999年12月02日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】【課題】 シリコン等の基板の表面に突起を形成することなしに、特定の個所からの電子放出効率を高めることによって、表示パターンを形成することができるダイヤモンド系材料を用いた電界放出表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド系材料を用いた電界放出表示素子の製造方法において、シリコン基板1上に形成されるダイヤモンド系材料の薄膜2に真空中で高い電界Eを印加し、この状態を保持することにより、前記薄膜2の表面の活性化と安定化を行い、突出した電極3を前記薄膜2の表面に接近させ、高電圧を印加した状態で移動させ、希望するパターン4に対応する前記ダイヤモンド系材料の薄膜2の表面を活性化し、前記パターン4と蛍光材6を塗布した透明電極5との間に電圧を印加し、前記パターン4の表面領域から電子を放出させ、蛍光パターンとして表示する。
請求項(抜粋):
(a)基板と、(b)該基板上に活性化されたパターンが描かれたダイヤモンド系材料からなる薄膜と、(c)前記パターンを表示する蛍光材を塗布した透明電極とを具備することを特徴とするダイヤモンド系材料を用いた電界放出表示素子。
IPC (3件):
H01J 31/12
, H01J 9/02
, H01J 29/04
FI (3件):
H01J 31/12 C
, H01J 9/02 B
, H01J 29/04
Fターム (8件):
5C031DD17
, 5C031DD19
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF07
, 5C036EG12
, 5C036EH08
, 5C036EH26
引用特許:
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