特許
J-GLOBAL ID：200903087783694038
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013409
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、Auを主材料成分とする被加工層をバリを生じさせずに容易に加工することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 Auを主材料成分とする配線層12層上に所定の厚さにTi層13を形成する。このTi層13上にレジスト層14を形成してこのレジスト層14をパターンニングする。パターンニングされたこのレジスト層14をマスクとしてTi層13をRIE法により選択的に除去する。パターンニングされたレジスト層14を除去し、露出したTi層13をマスクとして配線層12をイオンミリング法により選択的に除去する。
請求項（抜粋）：
Auを主材料成分とする被加工層上に所定の厚さにTi層を形成する第1の工程と、このTi層上にレジスト層を形成してこのレジスト層をパターンニングする第2の工程と、パターンニングされたこのレジスト層をマスクとして前記Ti層を反応性イオンエッチング法により選択的に除去する第3の工程と、パターンニングされた前記レジスト層を除去し露出した前記Ti層をマスクとして前記被加工層をイオンミリング法により選択的に除去する第4の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
