特許

J-GLOBAL ID：200903087789843094

半導体装置

発明者： 佐原 隆一 ,  下石坂 望 ,  中村 嘉文 ,  隈川 隆博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-025277
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224885
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性樹脂層が吸収した水分に起因する絶縁性樹脂層の剥離を防止して、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ10の主面において電極11を開口して形成された絶縁性樹脂層20と、電極11と絶縁性樹脂層20との上にわたって形成されランド31を有する金属配線30と、ランド31を開口して形成されたソルダーレジスト40と、ソルダーレジスト40と絶縁性樹脂層20とを貫通し半導体チップ10の主面に達する貫通穴50と、ランド31に設けられた金属ボール60とを備える。絶縁性樹脂層20が吸収した水分が、貫通穴50における絶縁性樹脂層20の露出面から半導体装置の外部へと排出されるので、水分に起因する絶縁性樹脂層20の剥離を防止して、信頼性の高い半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

主面に電極を有する半導体チップと、前記主面上において前記電極を開口して形成された絶縁性樹脂層と、前記電極に接続され前記絶縁性樹脂層上にわたって形成された金属配線と、導電性材料をはじく性質を有する絶縁性物質からなる保護膜と、前記保護膜を貫通し少なくとも前記絶縁性樹脂層に達する貫通穴とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/12 L