特許

J-GLOBAL ID：200903087790523141

プラズマ処理方法

発明者： 須志原 友和 ,  青田 幸人 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361984
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193462
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】大面積にわたって均一なプラズマを実現し、堆積膜の欠陥がなく、良好なプラズマ処理を高速で行うことができるプラズマ処理方法を提供する。【解決課題】単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法であって、複数系統の高周波電力のうち、少なくとも1系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単一放電電極に複数系統の高周波電力を印加するプラズマ処理方法において、 前記複数系統の高周波電力のうち、少なくとも1系統は他の系統と位相差をもたせて単一放電電極に印加し、プラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/205 ,  B01J19/08 H ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 A

Fターム (26件)：

4G075AA30 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075EA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075EE12 ,  4G075EE13 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA14 ,  4K030LA11 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045BB12 ,  5F045EH01 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19