特許
J-GLOBAL ID：200903087798458241
半導体ウエハの清浄化方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134595
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349793
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】ポリッシング工程若しくはそれ以前においてウエハ裏面に付着したSiO2 やSi等の微細な粉状の異物を確実に除去して、ウエハ裏面のさらなる清浄化を図る。【構成】移送手段2における無端状の移送ベルト23の下半側を含浸槽31内に掛け渡して、含浸槽31内の界面活性剤水溶液Fを移送ベルト23に含浸させる。移送ベルト23上に送り出されたウエハWを回動せしめ、これによりウエハWと移送ベルト23との間に生じる摩擦接触力と、移送ベルト23に含浸せしめた界面活性剤水溶液Fによる洗浄力とによって、ウエハ裏面W1 に付着したSiO2 やSi等の微細な粉上異物を除去する。
請求項（抜粋）：
無端状に回転するよう巻装した移送ベルトに界面活性剤の水溶液を含浸せしめ、ポリッシング工程において表面側を研磨したウエハを該表面側を上にして前記移送ベルト上へ送り出すと共に、送り出されたウエハを移送ベルト上で回動せしめて、ウエハと移送ベルトとの摩擦接触によりウエハ裏面の付着物を除去することを特徴とする半導体ウエハの清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B08B 7/04
